规格书 |
ECH8651R |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 24V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 10A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 14 mOhm @ 5A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | 1.4W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
供应商器件封装 | 8-ECH |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8ECH |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 24 V |
最大连续漏极电流 | 10 A |
RDS -于 | 14@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 300 ns |
典型上升时间 | 1000 ns |
典型关闭延迟时间 | 4000 ns |
典型下降时间 | 2500 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±12 |
包装宽度 | 2.3 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 1500 |
最大漏源电压 | 24 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 14@4.5V |
每个芯片的元件数 | 2 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | ECH |
标准包装名称 | ECH |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 2.9 |
引脚数 | 8 |
包装高度 | 0.93(Max) |
最大连续漏极电流 | 10 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Flat |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 10A |
供应商设备封装 | 8-ECH |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 14 mOhm @ 5A, 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 1.4W |
漏极至源极电压(Vdss) | 24V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 24nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 869-1158-1 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
连续漏极电流 | 10 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 14 mOhms |
功率耗散 | 1.4 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | ECH-8 |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 24 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 24 V |
Id - Continuous Drain Current | 10 A |
系列 | ECH8651R |
品牌 | ON Semiconductor |
Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
通道数 | 2 Channel |
技术 | Si |
Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
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